디지털 메모리 버스 인터페이스를 통하여 마이크로프로세서의 버스 동작의 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 메모리 버스 읽기 동작(Bus read transaction)의 원리를 알아 봅니다. 지금까지의 강좌는 그동안 이것을 설명하기 위해서 준비된 것이었다고 해도 과언이 아닙니다.

Figure 1 1은 인텔(intel) 사의 플래시 메모리 중 하나인 A28F200BR 의 스펙을 보이고 있습니다. 대부분의 데이터 북들은 보통 첫 페이지에 해당 칩(CHIP)의 특징을 소개하고 있는데요. 적색선을 보시면 이 메모리의 액세스 타임은 80ns 라고 기록 해 놓고 있습니다. 이번 시간에는 이 액세스 타임(ACCESS TIME)이 가진 의미와 해석을 두고 이야기 해 보도록 합니다. 흔히들 "이 메모리 속도가 얼마야" 하고 이야기 할 때 "아 그거! 80 나노  야". 라고 말하는 것을  독자 분들 중에서는 경험하신 분이 혹 있으실 겁니다. 이 숫자가 높으면 느린 메모리 그리고 낮으면 빠른(좋은) 메모리라고 이야기 하는 바로 그것 말입니다. 그렇다면 이 수치가 왜 작을 수록 좋다고 이야기 하는 것일까요?

posted by 가일(GUILE)

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