6.타이밍 분석(WRITE 동작) :: SDRAM의모든것 - 2009/02/14 16:19
쓰기(WRITE OPERATION) 읽기 명령과 마찬가지로 쓰기 동작(Write operation)도 또한 precharge 가 필요 함을 Figure 1-3 을 통해서 확인 할 수가 있습니다. 한편, 읽기 동작과 뚜렷하게 차이가 있는 한 가지는 쓰기 동작에서는 레이턴시가 항상 '0' 즉, 레이턴시가 없다는 것입니다. 즉 CL=2, CL=3 어떤 경우에도 쓰기동작의 경우 CAS레이턴시는 '0'이 됩니다. ROW와 COLUMN 주소가 입력된 이후 메모리셀에서 I/O버퍼로 올라오는 시간을 정의한 레이턴시의 개념을 생각해 보면 어찌보면 당연하다 하겠습니다. 쓰기의 경우는 호스트인터페이스를 경유하여 데이터가 I/O버퍼로 즉시 들어 갈 겁니다. 쓰기 동작의 경우도 이 I/O버퍼에서 실제 메모리셀에 기록되기 까지 시간이 걸리겠지요. 하지만 이는 SDRAM 내부에서 일어나는 동작이기 때문에 고려치 않아도 됩니다. 데이터를 I/O버퍼까지 정확히 넣어주는 것 까지가 우리의 책임입니다.
posted by 가일(GUILE)
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