2.기본 동작 :: SDRAM의모든것 - 2009/02/14 16:00
SRAM(static Random Access Memory) 이 1개의 셀(CELL) 을 위하여 6~8개의 트랜지스터를 사용하는 구조라 한다면, 이에 반해 SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory) 은 수십펨토1 패럿 용량의 캐패시터를 기본 구조로 합니다. Figure 1-1 1-bit DRAM cell Figure 1-1은 Figure 1-2의 적색부를 확대한 그림이며 마찬가지로 Figure 1-3의 적색부를 확대한 것은 Figure 1-2가 됩니다. SDRAM의 기초동작 : 정보의 저장및 인출 동작 (1) 전하셀에 정보 '1'을 기록하기 Figure 1-1의 CELL에 '1'을 기록하기 위하여는 BITLINE 에 'HIGH' 전압을 겁니다. 그러면 셀 캐패시터는 트랜지스터를 경유하여 전하를 공급받아 충전됩니다.
posted by 가일(GUILE)
♡ 포스팅이 유익 하셨다면 E-mail로 가일의 임베디드 스쿨을 구독하세요-> 
Trackback Address :: http://www.hongikcom.com/trackback/97
