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5.메모리 프로텍션::플래시메모리의이해 - 2009/05/11 23:30
플래시 메모리의 동작 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 플래시 메모리의 안전한 메모리 보호(PROTECTION) 기법들에 대해 살펴 봅니다.
첨부문서:
flashmemory_write_protection_technique.pdf
메모리 프로텍션 그림1의 플래시 메모리 인터페이스는 임베디드 시스템 설계 시 흔히 보는 일반적인 플래시 메모리의 인터페이스를 보이고 있습니다. 이 시간에는 올바른 플래시 메모리의 디지탈 회로 구성법에 대하여 알아보고 의도되지 않은 플래시 메모리의 지워짐 현상 발생에 대한 대책과 그 예방 법을 함께 생각해 보도록 합니다
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4.FTL(Flash Translation Layer)::플래시메모리의이해 - 2009/04/22 22:14
한 살씩 나이를 먹어감에 따라 취미도 조금씩 변하는 것 같군요. 영화 다운로딩 해서 보는 것을 좋아 했는데 영화는 역쒸 극장에서 봐야 제맛. 집에 프로젝터가 설치되어는 있지만 글쎄 별로 사용 안합니다. 요즈음은 도서관에서 책 빌려 읽기. 이것도 재미가 제법 쏠쏠하더군요. 오늘도 여러분들은 어떤 재미를 가지고 살아 가십니까?
오랜만에 포스팅 합니다. 자 시작해 볼까요?
플래시 메모리의 동작 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 플래시 메모리의 FTL 원리에 대해 살펴 봅니다.
Wear-leveling 플래시 메모리에서는 모든 섹터들의 최대 지우기 횟수가 유한한 이유로 FTL이 필요하다고 하였습니다. FTL에서는 wear-leveling 기능이 함께 구현 되어 있습니다.Wear-Leveling이란 플래시 수명을 연장하기 위해 블록 당 쓰기(writing) 횟수를 모니터하고, 한 블록에만 치우치지 않도록 균등하게 분배하는 기술을 말합니다. 특정 블록에만 지나치게 데이터가 write 되는 것을 방지함으로써 플래시 디스크가 깨지지 않도록 합니다.Garbage Collection 플래시 메모리 사용량이 일정량에 다다르면 더 이상 가용한 여유 블럭(free block)이 없을 수가 있습니다. 플래시 메모리 쓰기의 단위는 페이지이지만 지우기는 항상 블럭 단위입니다. 하나의 블럭은 다수의 페이지로 구성되어 있습니다. 또한 블럭 내에는 미 사용 페이지들이 함께 혼재 되어 있을 수 있습니다.
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3.읽고 쓰기의 원리::플래시메모리의이해 - 2009/03/27 20:33
플래시 메모리의 동작 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 플래시 메모리의 읽고, 쓰기 원리에 대해 살펴 봅니다.
먼저 Figure 1 6 과 같은 방법으로 기록을 원하는 위치의 섹터(SECTOR)을 지우고(ERASE)나서 그 다음으로 Figure 1 5 처럼 기록을 하여야 합니다. 플래시 메모리는 기록(PROGRAM)이나 지우기(ERASE) 이외에 여러가지 기본적인 동작(OPERATION)을 가지고 있는데요. Table 1 2은 플래시 메모리의 다양한 커맨드 세트를 보여주고 있습니다
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2.섹터구조::플래시메모리의이해 - 2009/03/18 10:20
임베디드 시스템에서 동작하는 소프트웨어를 담는 용기로서 사용되는 메모리의 일종인 플래시 메모리(flash Memory)의 동작 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 플래시 메모리의 구조에 대해 알아 봅니다.
플래시 메모리는 읽고 쓰는 것이 항시 자유로운 RAM 과 흔히 비교되는데요. 플래시메모리 기록을 위하여는 사전에 기록을 원하는 위치의 섹터를 지운 후에야만 쓰기가 가능 합니다.
대부분의 플래시 메모리들은 전 섹터(total sector)을 한번에 지울 수 있는 CHIP ERASE, 섹터별로 지울 수 있는 SECTOR ERASE 방법 이렇게 두 가지 방법을 지원 하고 있습니다.
단 1개의 섹터를 지우는데 최소한 300ms 이상의 시간이 소요되는 만큼 전체 섹터를 대상으로 하는 CHIP ERASE 보다는 가급적 SECTOR ERASE 방식을 사용하는 것이 시간적으로 더 도움이 될 것입니다.
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1.플래시 메모리의 특징::플래시메모리의이해 - 2009/03/12 12:10
이 글은 다음과 같은 독자들을 대상으로 쓰여졌습니다.
(1)임베디드 시스템 입문자
(2)플래시 메모리의 전기적인 특성을 확인하고저 하는 하드웨어 엔지니어
(3)플래시 메모리 취급시 요령을 알고 싶어하는 소프트웨어 엔지니어
(4)데이터 북(시트) 보는 법을 알고 싶어하는 자
임베디드 시스템에서 동작하는 소프트웨어를 담는 용기로서 사용되는 메모리의 일종인 플래시 메모리(flash Memory)의 동작 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 플래시 메모리의 주요 특징들에 대해 살펴 봅니다.
플래시 메모리의 주요 특징을 하나씩 확인 해 보도록 합니다. 편의상 앞으로 '플래시메모리'라는 용어는 줄여서 간단히 '메모리' 라 호칭 되기도 합니다.플래시메모리 이전 세대인 EPROM, EEPROM 는 프로그래밍을 위한 Vpp 전원(power)이 별도로 필요 하였습니다. Vpp 로는 대략 12V ~ 25V 정도의 전원이 사용 되었습니다. 당시의 디지털 회로 소자 대부분이 디지털전원(Vcc)으로 5V 이었던 것을 생각해 보면 이는 높은 수치의 전압입니다
posted by 가일(GUILE)
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